2011-2014- Инженер лаборатории нанотехнологий.
Февраль 2015-сентябрь 2015- Менеджер по продажам ТОО «Дистрилаб».
Ноябрь 2015-март 2016- Научный сотрудник лаборатории анализа структур, Nazarbayev University.
Сентябрь 2016-январь 2017-сениор-лектор, Алматинский университет Энергетики и Связи.
Январь 2017-июнь 2019- сениор-лектор, Казахстано-Британский Технический Университет.
Июнь 2019-июнь 2021-ассистент-профессор, Satbayev University.
Август 2021-Август 2025 ассистент-профессор Astana IT University
Август 2025-н.в Ассоциированный профессор МИТУ
2005 - 2009 КАзНУ имени АЛь Фараби. Бакалавр физики.
2009 - 2011 Томский Политехнический Университет. Магистр техники и технологии.
2011 - 2014 КБТУ. Доктор философии по направлению наноматериалы и нанотехнологии.
2019 - 2021 Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. Магистр больших данных в экономике.
Создание ветрогенераторной установки
Создание NFT маркетплейса
1. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Zharikov S.K., Beisembetov I.K., Kenzhaliev B.K., Akhmetov T.K. and Seitov B.Zh. Structure and Composition of Silicon Carbide Films Synthesized by Ion Implantation // Physics of the Solid State. – 2014. – Vol. 56, No. 11. – Р. 2307–2321. (Impact-factor 2013 – 0.782. SCOPUS, Thomson Reuters).
2. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Ахметов Т.К., Сейтов Б.Ж. Синтез тонких пленок SiC на подложках Si ионно-лучевым распылением // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. − 2015. (Импакт-фактор 2013 – 0,359. SCOPUS, Thomson Reuters).
3. Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Нусупов К.Х., Ахметов Т.К., Сеитов Б.Ж. Инфракрасная спектроскопия ионно-синтезированных тонких пленок карбида кремния // Вестник Нижегородского Гос. Университета. − 2013. − № 4(1). – С. 42-55.
4. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Ахметов Т.К., Сеитов Б.Ж. Формирование и структура наноразмерного слоя карбида кремния на кремнии при имплантации ионов углерода высоких доз // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. – М.: Издательство "Радиотехника. – 2013. – Т. 4, № 2. − С. 36−42.
5. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Ахметов Т.К., Ивлев Р. Структура наноразмерных пленок углерода и карбида кремния на кремнии, полученных магнетронным и ионно-лучевым распылением мишени // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. – М.: Издательство "Радиотехника". − 2012. − Т. 3, № 4. − С. 30−35.
6. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Ахметов Т.К., Сеитов Б.Ж. Инфракрасная спектроскопия и рентгеновская рефлектометрия тонких пленок SiC на Si // Доклады НАН РК. − 2013. − № 6.
7. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Ахметов Т.К., Сеитов Б.Ж. Распределение атомов углерода в кремнии после высокодозовой имплантации ионов С+ в Si // Известия НАН РК. Серия физико-математическая. − 2013. − № 6.
8. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Ахметов Т.К., Сеитов Б.Ж. Ионный синтез и свойства пленок карбида кремния и углерода // Вестник КазНУ им. Аль-Фараби. Серия физическая. – 2013. – № 3(46). – С. 27–36.
9. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Сагындыков А.Б., Ахметов Т.К. ИК-спектроскопия слоев кремния, имплантированных ионами углерода // Вестник КБТУ. − Алматы. − 2011. − № 2 . − С. 24–28.
10. Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Нусупов К.Х., Ахметов Т.К. Ионный синтез тонких пленок карбида кремния. // Тезисы докладов IV Всероссийс. конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации». – Новосибирск, 2012. – С. 61.
11. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Бейсембетов И.К., Кенжалиев Б.К., Ахметов Т.К., Сеитов Б.Ж. Формирование тонких пленок SiC на подложках Si методом ионно-лучевого распыления // Сборник тезисов X конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур на его основе «Кремний – 2014. –Иркутск, 2014. – С. 158.
12. Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Нусупов К.Х., Ахметов Т.К. Ионный синтез и свойства пленок карбида кремния и углерода. // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации». – Новосибирск, 2012. – С. 117.
13. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Бейсенханов Д.Н., Джарас А.К., Ахметов Т.К., Сеитов Б.Ж. Исследование пленок карбида кремния, синтезированных методом ионной имплантации // Труды VI Международной научно-практической конференции «Проблемы инновационного развития нефтегазовой индустрии» / КБТУ. – Алматы, 2014.
14. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Мить К.А., Ахметов Т.К., Сеитов Б.Ж. Синтез тонких пленок SiC и С на подложках Si магнетронным и ионно-лучевым распылением. // Материалы 5-й Международной научно-практической конференции «Проблемы инновационного развития нефтегазовой индустрии» / КБТУ. – Алматы, 2013. − С. 192–198.
15. Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Нусупов К.Х., Ахметов Т.К. ИК-исследование высокотемпературной нестабильности твердых пленок SiC, синтезированных ионной имплантацией // Материалы 4-й Международной научно-практической конференции «Проблемы инновационного развития нефтегазовой индустрии» / КБТУ. – Алматы, 2012.
16 А.М. Мейрманова*, PhD, сеньор-лектор1 Т.К. Ахметов, PhD, ассистент профессора1 К.А. Акылбеков, докторант PhD2 АНАЛИЗ ЦИФРОВОГО РЫНКА КАЗАХСТАНА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДА АНАЛИЗА ВРЕМЕННЫХ РЯДОВ. Қазақ экономика, қаржы және халықаралық сауда университетінің ЖАРШЫСЫ, 2024 ‒ №1 (54) 286 DOI 10.52260/2304-7216.2024.1(54).35 УДК 330.47 ГРНТИ 06.54.31
Целью дисциплины является формирование у студентов знаний по механике, электричеству и магнетизму, колебаниям и волнам, квантовой и ядерной физике, статистической физике и термодинамике. Изучение основ термодинамики, электричества и магнетизма, электростатики, постоянного тока, магнитного поля, магнитных свойств вещества, основ теории Максвелла, оптических приборов и использования их в технологических производствах, атомной и ядерной физики. При изучении дисциплины акцент делается на наиболее универсальные методы, законы и модели современной физики, демонстрируется специфика рационального метода познания окружающего мира, сосредоточены усилия на формировании у студентов ключевых и предметных компетенций, а также общего физического мировоззрения и развитии физического мышления.
Целью дисциплины является формирование у обучающихся способностей применять современные цифровые инструменты и технологии для повышения результативности процессов управления, планирования и развития деятельности организации, в том числе разработки, внедрения и управления проектами. В результате изучения дисциплины обучающиеся получат знания об особенностях использования технологии блокчейн, приобретут навыки и умения выбора, наиболее подходящих для инвестирования криптовалют, а также развитие новых подходов построения информационных систем на основе распределенных реестров.